RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

RJK2511DPK-00#T0 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 300

Yksikköhinta : 9,26000 €

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 691

Yksikköhinta : 12,28000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RJK2511DPK-00#T0
DigiKeyn tuotenumero	RJK2511DPK-00#T0-ND
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	RJK2511DPK-00#T0
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 250 V 65A (Ta) 200W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	RJK2511DPK-00#T0 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Valm. Renesas Electronics Corporation	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4900 pF @ 25 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 200W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 250 V	Valmistajan laitepakkaus TO-3P
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 65A (Ta)	Pakkaus / kotelo TO-3P-3, SC-65-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero RJK2511
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 32,5A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IXTQ82N25P	IXYS	300	IXTQ82N25P-ND	9,26000 €	Samankaltainen
IXTQ88N30P	IXYS	691	238-IXTQ88N30P-ND	12,28000 €	Samankaltainen

Vanhentunut

Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.

RJK2511DPK-00#T0