Name: RBE029N10R1SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND
Price: 3.30065 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

N-kanavatyyppi 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DFN (4,9x5,75)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RBE029N10R1SZN6#HB0
DigiKeyn tuotenumero	559-RBE029N10R1SZN6#HB0TR-ND - Rullattu teippi (TR) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND - Cut Tape (CT) 559-RBE029N10R1SZN6#HB0DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	RBE029N10R1SZN6#HB0
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 160A 8DFN
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 160A (Tc) 165W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DFN (4,9x5,75)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 109µA
Valm. Renesas Electronics Corporation	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6500 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 165W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 160A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-DFN (4,9x5,75)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,9mOhm @ 80A, 10V