Name: NP50P06SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.47635 EUR
Availability: InStock

P-kanava 60 V 50A (Tc) 1,2W (Ta), 84W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252 (MP-3ZK)

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NP50P06SDG-E1-AY
DigiKeyn tuotenumero	559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND - Rullattu teippi (TR) 559-NP50P06SDG-E1-AYCT-ND - Cut Tape (CT) 559-NP50P06SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	NP50P06SDG-E1-AY
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 50A (Tc) 1,2W (Ta), 84W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252 (MP-3ZK)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NP50P06SDG-E1-AY -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Valm. Renesas Electronics Corporation	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5000 pF @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 1,2W (Ta), 84W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila 175°C (TJ)
FET-tyyppi P-kanava	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 50A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-252 (MP-3ZK)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 16,5mOhm @ 25A, 10V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA