Name: NP100P06PDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND
Price: 6.6264 EUR
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NP100P06PDG-E1-AY
DigiKeyn tuotenumero	559-NP100P06PDG-E1-AYTR-ND - Rullattu teippi (TR) 559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND - Cut Tape (CT) 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Renesas Electronics Corporation
Valmistajan tuotenumero	NP100P06PDG-E1-AY
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Valmistajan vakio toimitusaika	12 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 100A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NP100P06PDG-E1-AY -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Renesas Electronics Corporation
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	15000 pF @ 10 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Toimintalämpötila	175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	TO-263
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	NP100P06