PJW7N06A_R2_00001 Panjit International Inc. | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

PJW7N06A_R2_00001
DigiKeyn tuotenumero	3757-PJW7N06A_R2_00001TR-ND - Rullattu teippi (TR) 3757-PJW7N06A_R2_00001CT-ND - Cut Tape (CT) 3757-PJW7N06A_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Panjit International Inc.
Valmistajan tuotenumero	PJW7N06A_R2_00001
Kuvaus	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 6,6A (Tc) 3,1W (Tc) Kiinnitys pintaan SOT-223
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Valm. Panjit International Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Vanhentunut	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1173 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,1W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6,6A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus SOT-223
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-261-4, TO-261AA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 10V	Päätuotenumero PJW7N06

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Vanhentunut

Tätä tuotetta ei enää valmisteta.

PJW7N06A_R2_00001