Name: RFD3055LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD3055LESM9ATR-ND
Price: 1.36795 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

RFD3055LESM9A
DigiKeyn tuotenumero	RFD3055LESM9ATR-ND - Rullattu teippi (TR) RFD3055LESM9ACT-ND - Cut Tape (CT) RFD3055LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	RFD3055LESM9A
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±16V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 350 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 38W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 11A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 5V	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 107mOhm @ 8A, 5V	Päätuotenumero RFD3055

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (4)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IRFR024PBF	Vishay Siliconix	5 828	IRFR024PBF-ND	2,21000 €	Samankaltainen
IXTY01N100	IXYS	11 564	IXTY01N100-ND	3,62000 €	Samankaltainen
STD16NF06LT4	STMicroelectronics	11 925	497-4329-1-ND	1,52000 €	Samankaltainen
TSM900N06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4 792	TSM900N06CPROGCT-ND	0,88000 €	Samankaltainen