Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.1284 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVMTS1D2N08H
DigiKeyn tuotenumero	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVMTS1D2N08H
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-DFNW (8,3x8,4)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NVMTS1D2N08H -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	43,5A (Ta), 337A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 590µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	10100 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	5W (Ta), 300W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-DFNW (8,3x8,4)
Pakkaus / kotelo	8-PowerTDFN
Päätuotenumero	NVMTS1