Name: NVD5C668NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C668NLT4GOSTR-ND
Price: 2.5351 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NVD5C668NLT4G
DigiKeyn tuotenumero	NVD5C668NLT4GOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) NVD5C668NLT4GOSCT-ND - Cut Tape (CT) NVD5C668NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NVD5C668NLT4G
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 49A (Tc) 44W (Tc) Kiinnitys pintaan DPAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NVD5C668NLT4G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	49A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	1300 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	44W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	Autoteollisuus
Hyväksyntä	AEC-Q101
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	DPAK
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Päätuotenumero	NVD5C668