Name: NTMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 2.5853 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTMYS4D1N06CLTWG
DigiKeyn tuotenumero	488-NTMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-NTMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Cut Tape (CT) 488-NTMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTMYS4D1N06CLTWG
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Kiinnitys pintaan LFPAK4 (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	22A (Ta), 100A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2V @ 80µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2200 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,7W (Ta), 79W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	LFPAK4 (5x6)
Pakkaus / kotelo	SOT-1023, 4-LFPAK
Päätuotenumero	NTMYS4