Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 1.2048 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTMS10P02R2G
DigiKeyn tuotenumero	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Cut Tape (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTMS10P02R2G
Kuvaus	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 20 V 8,8A (Ta) 1,6W (Ta) Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NTMS10P02R2G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	20 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	8,8A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,2V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	3640 pF @ 16 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	1,6W (Ta)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	8-SOIC
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Päätuotenumero	NTMS10