Name: NTMD4N03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD4N03R2GOSTR-ND
Price: 1.34285 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTMD4N03R2G
DigiKeyn tuotenumero	NTMD4N03R2GOSTR-ND - Rullattu teippi (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Cut Tape (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTMD4N03R2G
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Valmistajan vakio toimitusaika	13 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 30V 4A 2W Kiinnitys pintaan 8-SOIC
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NTMD4N03R2G -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valmistaja onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 16nC @ 10V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 400pF @ 20V
Osan tila Aktiivinen	Teho - maksimi 2W
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Konfiguraatio 2 N-kanavaa (kaksinkertainen)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
FET-ominaisuus Logiikkatasoportti	Pakkaus / kotelo 8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30V	Valmistajan laitepakkaus 8-SOIC
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4A	Päätuotenumero NTMD4
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 10V