NTHL1000N170M1 onsemi | Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTHL1000N170M1
DigiKeyn tuotenumero	5556-NTHL1000N170M1-ND
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTHL1000N170M1
Kuvaus	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1700 V 4,2A (Tc) 48W Läpivientiaukko TO-247-3
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1700 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,2A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	20V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,43Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,3V @ 640µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -15V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	150 pF @ 1000 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	48W
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Pakkaus / kotelo	TO-247-3