Name: NTBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG030N120M3STR-ND
Price: 13.11475 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NTBG030N120M3S
DigiKeyn tuotenumero	5556-NTBG030N120M3STR-ND - Rullattu teippi (TR) 5556-NTBG030N120M3SCT-ND - Cut Tape (CT) 5556-NTBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	NTBG030N120M3S
Kuvaus	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Valmistajan vakio toimitusaika	19 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	NTBG030N120M3S -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	77A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	39mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,4V @ 15mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2430 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	348W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	D2PAK-7
Pakkaus / kotelo	TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA