HGTG30N60C3D on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Microchip Technology

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 2,62707 €

Samankaltainen

IXYS

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,00000 €

Samankaltainen

Rochester Electronics, LLC

Varastossa: 4 639

Yksikköhinta : 3,37118 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit IGBT-piirit Yksittäiset IGBT-transistorit
Valmistaja	onsemi
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Vanhentunut
IGBT-tyyppi	-
Jännite - kollektori-emitteriläpilyönti (maks.)	600 V
Virta - kollektori (Ic) (maks.)	63 A
Virta - kollektorin pulssi (Icm)	252 A
Vce(on) (maks.) @ Vge, Ic	1,8V @ 15V, 30A
Teho - maksimi	208 W
Kytkentäenergia	1,05mJ (päällä), 2,5mJ (pois päältä)
Tulon tyyppi	Standardi
Hilan varaus	162 nC
Td (päällä / pois päältä) @ 25°C	-
Testitila	-
Käänteinen elpymisaika (trr)	60 ns
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Valmistajan laitepakkaus	TO-247-3
Päätuotenumero	HGTG30