Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 6.3252 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDMS4D0N12C
DigiKeyn tuotenumero	FDMS4D0N12COSTR-ND - Rullattu teippi (TR) FDMS4D0N12COSCT-ND - Cut Tape (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FDMS4D0N12C
Kuvaus	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Valmistajan vakio toimitusaika	45 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 18,5A (Ta), 114A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-PQFN (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 370A
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Sarja PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6460 pF @ 60 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,7W (Ta), 106W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Valmistajan laitepakkaus 8-PQFN (5x6)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 18,5A (Ta), 114A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Päätuotenumero FDMS4
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 67A, 10V