Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 2.0833 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDD86113LZ
DigiKeyn tuotenumero	FDD86113LZFSTR-ND - Rullattu teippi (TR) FDD86113LZFSCT-ND - Cut Tape (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FDD86113LZ
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 4,2A (Ta), 5,5A (Tc) 3,1W (Ta), 29W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-252AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FDD86113LZ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Sarja PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 285 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 3,1W (Ta), 29W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 155°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus TO-252AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 4,2A (Ta), 5,5A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-252-3, DPAK (2 jalkaa + juotoskohta), SC-63
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero FDD86113
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 104mOhm @ 4,2A, 10V