Name: FDC655BN
Brand: onsemi
SKU: FDC655BNTR-ND
Price: 0.84085 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FDC655BN
DigiKeyn tuotenumero	FDC655BNTR-ND - Rullattu teippi (TR) FDC655BNCT-ND - Cut Tape (CT) FDC655BNDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FDC655BN
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 30 V 6,3A (Ta) 1,6W (Ta) Kiinnitys pintaan SuperSOT™-6
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	FDC655BN -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Sarja PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 570 pF @ 15 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 1,6W (Ta)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 30 V	Valmistajan laitepakkaus SuperSOT™-6
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 6,3A (Ta)	Pakkaus / kotelo SOT-23-6, litteä, TSOT-23-6
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero FDC655
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6,3A, 10V