Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 7.56765 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

FCMT080N65S3
DigiKeyn tuotenumero	488-FCMT080N65S3TR-ND - Rullattu teippi (TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Cut Tape (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	onsemi
Valmistajan tuotenumero	FCMT080N65S3
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 38A (Tc) 260W (Tc) Kiinnitys pintaan 4-TDFN (8x8)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 880µA
Valm. onsemi	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 71 nC @ 10 V
Sarja SuperFET® III	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2765 pF @ 400 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 260W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus 4-TDFN (8x8)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 38A (Tc)	Pakkaus / kotelo 4-PowerTSFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero FCMT080
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 19A, 10V