Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 7.6806 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

PSMN2R3-100SSEJ
DigiKeyn tuotenumero	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Rullattu teippi (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Cut Tape (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Nexperia USA Inc.
Valmistajan tuotenumero	PSMN2R3-100SSEJ
Kuvaus	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Kiinnitys pintaan LFPAK88 (SOT1235)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	PSMN2R3-100SSEJ -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 1mA
Valm. Nexperia USA Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 17200 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 341W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 255A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus LFPAK88 (SOT1235)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo SOT-1235
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,2mOhm @ 25A, 10V	Päätuotenumero PSMN2R3