Name: PSMN2R0-55YLHX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R0-55YLHXTR-ND
Price: 6.7268 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

PSMN2R0-55YLHX
DigiKeyn tuotenumero	1727-PSMN2R0-55YLHXTR-ND - Rullattu teippi (TR) 1727-PSMN2R0-55YLHXCT-ND - Cut Tape (CT) 1727-PSMN2R0-55YLHXDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Nexperia USA Inc.
Valmistajan tuotenumero	PSMN2R0-55YLHX
Kuvaus	PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Valmistajan vakio toimitusaika	16 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 55 V 200A (Tc) 333W (Tc) Kiinnitys pintaan LFPAK56, Power-SO8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Nexperia USA Inc.
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	55 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	2,1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	11353 pF @ 27 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	333W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	LFPAK56, Power-SO8
Pakkaus / kotelo	SOT-1023, 4-LFPAK
Päätuotenumero	PSMN2R0