Name: PSMN1R2-80CSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80CSEJTR-ND
Price: 9.789 EUR
Availability: OutOfStock

PSMN1R2-80CSEJ on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Parametrisesti vastaava

Nexperia USA Inc.

Varastossa: 248

Yksikköhinta : 8,68000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

PSMN1R2-80CSEJ
DigiKeyn tuotenumero	1727-PSMN1R2-80CSEJTR-ND - Rullattu teippi (TR) 1727-PSMN1R2-80CSEJCT-ND - Cut Tape (CT) 1727-PSMN1R2-80CSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Nexperia USA Inc.
Valmistajan tuotenumero	PSMN1R2-80CSEJ
Kuvaus	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Valmistajan vakio toimitusaika	13 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) Kiinnitys pintaan CCPAK1212i
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Nexperia USA Inc.
Sarja	-
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	375A (Ta)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	1,18mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,6V @ 1mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	350 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	26187 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	935W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	CCPAK1212i
Pakkaus / kotelo	12-BESOP (0,370", 9,40mm leveys), avoin juotoskohta