PSMN015-110P,127 on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 775
Yksikköhinta : 2,80000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 2,90000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Infineon Technologies
Varastossa: 1
Yksikköhinta : 1,88000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


IXYS
Varastossa: 9 902
Yksikköhinta : 4,01000 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 110 V 75A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

PSMN015-110P,127

DigiKeyn tuotenumero
1727-4655-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
PSMN015-110P,127
Kuvaus
MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 110 V 75A (Tc) 300W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot
 Tekniset tiedot
Tuotteen ominaisuudet
Näytä samankaltaiset tuotteet
Näytä tyhjät attribuutit
Kategoria
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 1mA
Valm.
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Sarja
Vgs (maks.)
±20V
Pakkaustapa
Putki
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Osan tila
Vanhentunut
Tehohäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
Toimintalämpötila
-55°C – 175°C (TJ)
Teknologia
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
110 V
Valmistajan laitepakkaus
TO-220AB
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Pakkaus / kotelo
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Päätuotenumero
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Ympäristö- ja vientiluokitukset
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset
Lisäresurssit
Korvaa (4)
OsanumeroValmistaja Saatavana oleva määräDigiKeyn tuotenumero Yksikköhinta Korvaava tyyppi
FDP120N10onsemi775FDP120N10-ND2,80000 €Samankaltainen
FDP150N10onsemi0FDP150N10-ND2,90000 €Samankaltainen
IRFB4510PBFInfineon Technologies1IRFB4510PBF-ND1,88000 €Samankaltainen
IXTP80N10TIXYS9 902IXTP80N10T-ND4,01000 €Samankaltainen
Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.