Name: GAN190-650EBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650EBEZTR-ND
Price: 6.58875 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

GAN190-650EBEZ
DigiKeyn tuotenumero	1727-GAN190-650EBEZTR-ND - Rullattu teippi (TR) 1727-GAN190-650EBEZCT-ND - Cut Tape (CT) 1727-GAN190-650EBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Nexperia USA Inc.
Valmistajan tuotenumero	GAN190-650EBEZ
Kuvaus	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Valmistajan vakio toimitusaika	4 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 11,5A (Tc) 125W (Tc) Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna DFN8080-8
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 12,2mA
Valm. Nexperia USA Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 2.8 nC @ 6 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +7V, -1,4V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 96 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 125W (Tc)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan, Helposti tarkistettava reuna
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 11,5A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus DFN8080-8
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V	Pakkaus / kotelo 8-VDFN avoin juotoskohta
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 3,9A, 6V	Päätuotenumero GAN190