Name: NV6012C-RA
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6012C-RATR-ND
Price: 1.99545 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

NV6012C-RA
DigiKeyn tuotenumero	1913-NV6012C-RATR-ND - Rullattu teippi (TR) 1913-NV6012C-RACT-ND - Cut Tape (CT) 1913-NV6012C-RADKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	NV6012C-RA
Kuvaus	GANFAST DISCRETE 650V 450MOHM PQ
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 700 V 2,7A (Tc) 25,4W (Tc) Kiinnitys pintaan 8-QFN (5x6)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1,35A, 7V
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,8V @ 2,3mA
Sarja GaNFast™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 0.85 nC @ 6 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +7V, −10V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 28 pF @ 400 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 25,4W (Tc)
Teknologia GaNFET (galliumnitridi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 700 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 2,7A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus 8-QFN (5x6)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 7V	Pakkaus / kotelo 8-PowerVDFN

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 869

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)