Name: G3R350MT12J
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-ND
Price: 3.91984 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3R350MT12J
DigiKeyn tuotenumero	1913-G3R350MT12J-ND
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G3R350MT12J
Kuvaus	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	G3R350MT12J -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,69V @ 2mA
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 12 nC @ 15 V
Sarja G3R™	Vgs (maks.) ±15V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 334 pF @ 800 V
Osan tila Viimeinen ostohetki	Tehohäviö (maks.) 75W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Valmistajan laitepakkaus TO-263-7
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 11A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V	Päätuotenumero G3R350
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 420mOhm @ 4A, 15V