G3R75MT12J Navitas Semiconductor, Inc. | Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit

G3R75MT12J on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.

Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended

Navitas Semiconductor, Inc.

Varastossa: 673

Yksikköhinta : 10,42000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

G3R75MT12J
DigiKeyn tuotenumero	1913-G3R75MT12J-ND
Valmistaja	Navitas Semiconductor, Inc.
Valmistajan tuotenumero	G3R75MT12J
Kuvaus	SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-263-7
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	G3R75MT12J -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,69V @ 7,5mA
Valm. Navitas Semiconductor, Inc.	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 54 nC @ 15 V
Sarja G3R™	Vgs (maks.) ±15V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1560 pF @ 800 V
Osan tila Vanhentunut	Tehohäviö (maks.) 224W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Valmistajan laitepakkaus TO-263-7
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 42A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-263-8, D2PAK (7 jalkaa + juotoskohta), TO-263CA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V	Päätuotenumero G3R75
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 15V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (1)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
G3F65MT12J-TR	Navitas Semiconductor, Inc.	673	1913-G3F65MT12J-TRCT-ND	10,42000 €	MFR Recommended

Vanhentunut

Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.

G3R75MT12J