Name: IXTQ60N20L2
Brand: IXYS
SKU: IXTQ60N20L2-ND
Price: 25.1 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTQ60N20L2
DigiKeyn tuotenumero	IXTQ60N20L2-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTQ60N20L2
Kuvaus	MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Valmistajan vakio toimitusaika	22 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Läpivientiaukko TO-3P
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 255 nC @ 10 V
Sarja Linear L2™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 10500 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 540W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 200 V	Valmistajan laitepakkaus TO-3P
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-3P-3, SC-65-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTQ60
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 10V