Name: IXTN200N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTN200N10T-ND
Price: 47.92845 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTN200N10T
DigiKeyn tuotenumero	IXTN200N10T-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTN200N10T
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Valmistajan vakio toimitusaika	34 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Runkokiinnitys SOT-227B
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 152 nC @ 10 V
Sarja Trench	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 9400 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 550W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Runkokiinnitys
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus SOT-227B
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 200A (Tc)	Pakkaus / kotelo SOT-227-4, miniBLOC
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTN200
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 5,5mOhm @ 50A, 10V