Name: IXTH1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH1N200P3HV-ND
Price: 13.0269 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTH1N200P3HV
DigiKeyn tuotenumero	238-IXTH1N200P3HV-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTH1N200P3HV
Kuvaus	MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Läpivientiaukko TO-247HV
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V
Sarja Polar P3™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 646 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 125W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 2000 V	Valmistajan laitepakkaus TO-247HV
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 1A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3-muunnos
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTH1
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V