Name: IXTH180N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTH180N10T-ND
Price: 10.8934 EUR
Availability: OutOfStock

IXTH180N10T on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

Infineon Technologies

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,00000 €

Samankaltainen

Infineon Technologies

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 0,00000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTH180N10T
DigiKeyn tuotenumero	IXTH180N10T-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTH180N10T
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	34 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Läpivientiaukko TO-247 (IXTH)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 250µA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 151 nC @ 10 V
Sarja Trench	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 480W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus TO-247 (IXTH)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 180A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTH180
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 6,4mOhm @ 25A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (2)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
IRFP4110PBF	Infineon Technologies	0	IRFP4110PBF-ND	0,00000 €	Samankaltainen
IRFP4310ZPBF	Infineon Technologies	0	448-IRFP4310ZPBF-ND	0,00000 €	Samankaltainen