Name: IXTH10N100D2
Brand: IXYS
SKU: IXTH10N100D2-ND
Price: 26.61855 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXTH10N100D2
DigiKeyn tuotenumero	IXTH10N100D2-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXTH10N100D2
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	25 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanava, tyhjennystyyppi 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) Läpivientiaukko TO-247 (IXTH)
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,5Ohm @ 5A, 10V
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 200 nC @ 5 V
Sarja Depletion	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5320 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 695W (Tc)
FET-tyyppi N-kanava, tyhjennystyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1000 V	Valmistajan laitepakkaus TO-247 (IXTH)
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXTH10