Name: IXSJ80N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1K-ND
Price: 31.375 EUR
Availability: OutOfStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXSJ80N120R1K
DigiKeyn tuotenumero	238-IXSJ80N120R1K-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXSJ80N120R1K
Kuvaus	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	32 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 85A (Tc) 223,2W (Tc) Läpivientiaukko ISO247-4L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	-
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	SiCFET (piikarbidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1200 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	85A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	18V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	23,4mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,8V @ 22,2mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	155 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+21V, -4V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4556 pF @ 800 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	223,2W (Tc)
Toimintalämpötila	-40°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	ISO247-4L
Pakkaus / kotelo	TO-247-4