Name: IXSH80N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH80N120L2KHV-ND
Price: 15.9887 EUR
Availability: InStock

Uusi tuote

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXSH80N120L2KHV
DigiKeyn tuotenumero	238-IXSH80N120L2KHV-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXSH80N120L2KHV
Kuvaus	1200V 30M (80A @ 25C) SIC MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1200 V 79A (Tc) 395W (Tc) Läpivientiaukko TO-247-4L
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4,5V @ 12mA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 135 nC @ 18 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1.5 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 395W (Tc)
Teknologia SiCFET (piikarbidi)	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1200 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 79A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-247-4L
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 15V, 18V	Pakkaus / kotelo TO-247-4
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 30A, 18V