Name: IXFT18N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFT18N100Q3-ND
Price: 20.29878 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-268AA

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFT18N100Q3
DigiKeyn tuotenumero	IXFT18N100Q3-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFT18N100Q3
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Kiinnitys pintaan TO-268AA
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 6,5V @ 4mA
Valm. IXYS	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Sarja HiPerFET™, Q3 Class	Vgs (maks.) ±30V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4890 pF @ 25 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 830W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 1000 V	Valmistajan laitepakkaus TO-268AA
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 18A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-268-3, D3PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-268AA
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IXFT18
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Tilattavissa

Tarkista toimitusaika

DigiKey ei pidä tätä tuotetta varastossa. Ilmoitettu toimitusaika koskee valmistajan toimitusta DigiKeylle. Kun DigiKey on vastaanottanut tuotteita, se lähettää ne täyttääkseen avoimena olevat tilaukset.

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki