Name: IXFH32N100X
Brand: IXYS
SKU: IXFH32N100X-ND
Price: 25.41375 EUR
Availability: OutOfStock

IXFH32N100X on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 544

Yksikköhinta : 10,58000 €

Samankaltainen

Rohm Semiconductor

Varastossa: 47

Yksikköhinta : 5,80000 €

Samankaltainen

STMicroelectronics

Varastossa: 0

Yksikköhinta : 6,83000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFH32N100X
DigiKeyn tuotenumero	IXFH32N100X-ND
Valmistaja	IXYS
Valmistajan tuotenumero	IXFH32N100X
Kuvaus	MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Valmistajan vakio toimitusaika	27 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	IXYS
Sarja	HiPerFET™, Ultra X
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	1000 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	6V @ 4mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	4075 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	890W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-247
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Päätuotenumero	IXFH32