IXFH30N60X on vanhentunut, eikä sitä enää valmisteta.
Saatavana olevat korvaavat osat:

MFR Recommended


IXYS
Varastossa: 3 889
Yksikköhinta : 8,05000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


onsemi
Varastossa: 186
Yksikköhinta : 5,65000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Infineon Technologies
Varastossa: 549
Yksikköhinta : 2,92000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Infineon Technologies
Varastossa: 2 380
Yksikköhinta : 3,74000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Rohm Semiconductor
Varastossa: 282
Yksikköhinta : 7,33000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 500
Yksikköhinta : 4,57000 €
Tekniset tiedot

Samankaltainen


Vishay Siliconix
Varastossa: 0
Yksikköhinta : 2,08892 €
Tekniset tiedot
N-kanavatyyppi 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IXFH30N60X

DigiKeyn tuotenumero
IXFH30N60X-ND
Valmistaja
Valmistajan tuotenumero
IXFH30N60X
Kuvaus
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus
N-kanavatyyppi 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Läpivientiaukko TO-247
Tuotteen ominaisuudet
Tyyppi
Kuvaus
Valitse kaikki
Kategoria
Valm.
Sarja
Pakkaustapa
Putki
Osan tila
Vanhentunut
FET-tyyppi
Teknologia
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)
10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4,5V @ 4mA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds
2270 pF @ 25 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (maks.)
500W (Tc)
Toimintalämpötila
-55°C – 150°C (TJ)
Luokka
-
Hyväksyntä
-
Asennustyyppi
Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus
TO-247
Pakkaus / kotelo
Päätuotenumero
Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Vanhentunut
Tätä tuotetta ei enää valmisteta. Näytä Korvaavat osat.