Name: SPW35N60C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPW35N60C3FKSA1-ND
Price: 11.18205 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SPW35N60C3FKSA1
DigiKeyn tuotenumero	SPW35N60C3FKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	SPW35N60C3FKSA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 650 V 34,6A (Tc) 313W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SPW35N60C3FKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,9V @ 1,9mA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 200 nC @ 10 V
Sarja CoolMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Osan tila Ei uusiin suunnitelmiin	Tehohäviö (maks.) 313W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 150°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 650 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 34,6A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-247-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero SPW35N60
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 21,9A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Korvaa (15)

Osanumero	Valmistaja	Saatavana oleva määrä	DigiKeyn tuotenumero	Yksikköhinta	Korvaava tyyppi
SIHG44N65EF-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHG44N65EF-GE3-ND	5,15686 €	Suora
FCH077N65F-F085	onsemi	1 646	FCH077N65F-F085-ND	10,06000 €	Samankaltainen
FCH077N65F-F155	onsemi	0	FCH077N65F-F155-ND	9,37000 €	Samankaltainen
IXFH36N60P	IXYS	560	IXFH36N60P-ND	13,54000 €	Samankaltainen
IXFX48N60Q3	IXYS	38	IXFX48N60Q3-ND	28,97000 €	Samankaltainen