Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 5.10785 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

SPB80P06PGATMA1
DigiKeyn tuotenumero	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	SPB80P06PGATMA1
Kuvaus	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TO263-3-2
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	SPB80P06PGATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 173 nC @ 10 V
Valm. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Sarja SIPMOS®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5033 pF @ 25 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tehohäviö (maks.) 340W (Tc)
Osan tila Aktiivinen	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
FET-tyyppi P-kanava	Luokka Autoteollisuus
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Hyväksyntä AEC-Q101
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO263-3-2
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V	Päätuotenumero SPB80P06
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 5,5mA