Name: ISZ106N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 3.4889 EUR
Availability: OutOfStock

ISZ106N12LM6ATMA1 on loppunut, mutta siitä voi tehdä jälkitilauksen.

Saatavana olevat korvaavat osat:

Parametrisesti vastaava

Infineon Technologies

Varastossa: 2 114

Yksikköhinta : 2,82000 €

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISZ106N12LM6ATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISZ106N12LM6ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISZ106N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISZ106N12LM6ATMA1
Kuvaus	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 120 V 10A (Ta), 62A (Tc) 2,5W (Ta), 94W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-TSDSON-8 FL
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 35µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 6	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 1800 pF @ 60 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 94W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 120 V	Valmistajan laitepakkaus PG-TSDSON-8 FL
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 10A (Ta), 62A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerTDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 3,3V, 10V	Päätuotenumero ISZ106
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 10,6mOhm @ 28A, 10V