Name: ISG0613N04NM6HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND
Price: 5.05765 EUR
Availability: OutOfStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

ISG0613N04NM6HSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	ISG0613N04NM6HSCATMA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHITFN-10-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 6
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (puolisilta)
FET-ominaisuus	-
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	40V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	0,88mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,8V @ 780µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	104nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	6200pF @ 20V
Teho - maksimi	3W (Ta), 167W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	10-PowerWDFN
Valmistajan laitepakkaus	PG-WHITFN-10-1