Name: IRFB4332PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4332PBFXKMA1-ND
Price: 5.2961 EUR
Availability: InStock

Uutta DigiKeyllä

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRFB4332PBFXKMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IRFB4332PBFXKMA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRFB4332PBFXKMA1
Kuvaus	MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	17 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 250 V 60A (Tc) 390W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 33mOhm @ 35A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 250µA
Sarja HEXFET®	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±30V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 5860 pF @ 25 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 390W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 250 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Pakkaus / kotelo TO-220-3

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 692

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki