Name: IRF9Z34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND
Price: 1.99545 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF9Z34NSTRLPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF9Z34NSTRLPBFTR-ND - Rullattu teippi (TR) IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND - Cut Tape (CT) IRF9Z34NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF9Z34NSTRLPBF
Kuvaus	MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	P-kanava 55 V 19A (Tc) 3,8W (Ta), 68W (Tc) Kiinnitys pintaan D2PAK
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF9Z34NSTRLPBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	HEXFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	P-kanava
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	55 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	620 pF @ 25 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	3,8W (Ta), 68W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	D2PAK
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D2PAK (2 jalkaa + juotoskohta), TO-263AB
Päätuotenumero	IRF9Z34

Tuotteita koskevat kysymykset ja vastaukset

Katso, mitä suunnittelijat kysyvät, tee kysymyksiä ja auta toisia DigiKeyn suunnitteluyhteisössä

Varastossa: 6 388

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Kaikkiin Digi-Reel-tilauksiin lisätään lisämaksu 5,50 €.

Rullattu teippi (TR)