Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.5311 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF7341TRPBFXTMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF7341TRPBFXTMA1
Kuvaus	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	MOSFETit - ryhmät 55V 4,7A (Tc) 2W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-DSO-8-902
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF7341TRPBFXTMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET FET, MOSFET-ryhmät
Valmistaja	Infineon Technologies
Sarja	HEXFET®
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Konfiguraatio	2 N-kanavaa (kaksinkertainen)
FET-ominaisuus	Logiikkatasoportti
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	55V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	4,7A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 250µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	36nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	740pF @ 25V
Teho - maksimi	2W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Pakkaus / kotelo	8-SOIC (0,154", 3,90mm leveys)
Valmistajan laitepakkaus	PG-DSO-8-902