Name: IRF1018EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1018EPBF-ND
Price: 1.6817 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF1018EPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF1018EPBF-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF1018EPBF
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	26 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF1018EPBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	HEXFET®
Pakkaustapa	Putki
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	60 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	79A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	8,4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 100µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2290 pF @ 50 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	110W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Läpivientiaukko
Valmistajan laitepakkaus	TO-220AB
Pakkaus / kotelo	TO-220-3
Päätuotenumero	IRF1018