Name: IRF1018EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1018EPBF-ND
Price: 2.04565 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF1018EPBF
DigiKeyn tuotenumero	IRF1018EPBF-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF1018EPBF
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	28 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF1018EPBF -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 100µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Sarja HEXFET®	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2290 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 110W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 79A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IRF1018
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,4mOhm @ 47A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 5 153

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki