Name: IRF100PW219XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100PW219XKSA1-ND
Price: 6.1495 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF100PW219XKSA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IRF100PW219XKSA1-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF100PW219XKSA1
Kuvaus	TRENCH >=100V
Valmistajan vakio toimitusaika	20 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 33A (Ta), 203A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Läpivientiaukko PG-TO247-3-U06
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF100PW219XKSA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 1,7mOhm @ 100A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 278µA
Sarja StrongIRFET™	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Pakkaustapa Putki	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 16000 pF @ 50 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 3,8W (Ta), 341W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 33A (Ta), 203A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-TO247-3-U06
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Pakkaus / kotelo TO-247-3