Name: IRF100B202
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100B202-ND
Price: 3.1124 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IRF100B202
DigiKeyn tuotenumero	IRF100B202-ND
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IRF100B202
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Valmistajan vakio toimitusaika	35 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 100 V 97A (Tc) 221W (Tc) Läpivientiaukko TO-220AB
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IRF100B202 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 150µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 116 nC @ 10 V
Sarja HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Putki	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4476 pF @ 50 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 221W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Läpivientiaukko
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 100 V	Valmistajan laitepakkaus TO-220AB
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 97A (Tc)	Pakkaus / kotelo TO-220-3
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 10V	Päätuotenumero IRF100
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 8,6mOhm @ 58A, 10V

Ilmoita tuotetiedoissa olevasta virheestä

Dokumentit & media

Ympäristö- ja vientiluokitukset

Lisäresurssit

Varastossa: 1 429

Tutustu myös saapuviin tuotteisiin

Määrä

Kaikki hinnat ilmoitetaan rahayksikössä EUR

Putki