Name: IQE050N08NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE050N08NM5SCATMA1TR-ND
Price: 3.8654 EUR
Availability: InStock

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE050N08NM5SCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE050N08NM5SCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE050N08NM5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE050N08NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE050N08NM5SCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Valmistajan vakio toimitusaika	18 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE050N08NM5SCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Tyyppi	Kuvaus	Valitse kaikki
Kategoria	Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit
Valm.	Infineon Technologies
Sarja	OptiMOS™ 5
Pakkaustapa	Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Osan tila	Aktiivinen
FET-tyyppi	N-kanavatyyppi
Teknologia	MOSFET (metallioksidi)
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss)	80 V
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C	16A (Ta), 99A (Tc)
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,8V @ 49µA
Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds	2900 pF @ 40 V
FET-ominaisuus	-
Tehohäviö (maks.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Toimintalämpötila	-55°C – 175°C (TJ)
Luokka	-
Hyväksyntä	-
Asennustyyppi	Kiinnitys pintaan
Valmistajan laitepakkaus	PG-WHSON-8-1
Pakkaus / kotelo	8-PowerWDFN