Name: IQE046N08LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.6937 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanavatyyppi 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE046N08LM5SCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE046N08LM5SCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE046N08LM5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE046N08LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE046N08LM5SCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHSON-8-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE046N08LM5SCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,3V @ 47µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 3250 pF @ 40 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Valmistajan laitepakkaus PG-WHSON-8-1
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Pakkaus / kotelo 8-PowerWDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero IQE046
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 4,6mOhm @ 20A, 10V