Name: IQE036N08NM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 4.8443 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 80 V 16,7A (Ta), 118A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE036N08NM6CGSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE036N08NM6CGSCATMA1
Kuvaus	TRENCH 40<-<100V
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 80 V 16,7A (Ta), 118A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9-1
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 3,6mOhm @ 30A, 10V
Valm. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 49,8µA
Sarja OptiMOS™ 6	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Osan tila Aktiivinen	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 2600 pF @ 40 V
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Toimintalämpötila -55°C – 175°C
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 80 V	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 16,7A (Ta), 118A (Tc)	Valmistajan laitepakkaus PG-WHTFN-9-1
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 8V, 10V	Pakkaus / kotelo 9-PowerWDFN