Name: IQE022N06LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.5722 EUR
Availability: InStock

N-kanavatyyppi 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9

Näytetty kuva on vain suuntaa antava. Tuotteen tarkka spesifikaatio on katsottava sen teknisistä tiedoista.

IQE022N06LM5CGSCATMA1
DigiKeyn tuotenumero	448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND - Rullattu teippi (TR) 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Valmistaja	Infineon Technologies
Valmistajan tuotenumero	IQE022N06LM5CGSCATMA1
Kuvaus	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Valmistajan vakio toimitusaika	61 viikkoa
Asiakkaan referenssi
Tarkka kuvaus	N-kanavatyyppi 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Kiinnitys pintaan PG-WHTFN-9
Tekniset tiedot	Tekniset tiedot
EDA/CAD-mallit	IQE022N06LM5CGSCATMA1 -mallit

Tuotteen ominaisuudet

Näytä samankaltaiset tuotteet

Näytä tyhjät attribuutit

Kategoria Puolijohdetuotteet erilliskomponentteina Transistorit FET, MOSFET Yksittäiset FET-, MOSFET-transistorit	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,3V @ 48µA
Valm. Infineon Technologies	Hilan varaus (Qg) (maks.) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Sarja OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Pakkaustapa Rullattu teippi (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Tulokapasitanssi (Ciss) (maks.) @ Vds 4420 pF @ 30 V
Osan tila Aktiivinen	Tehohäviö (maks.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
FET-tyyppi N-kanavatyyppi	Toimintalämpötila -55°C – 175°C (TJ)
Teknologia MOSFET (metallioksidi)	Asennustyyppi Kiinnitys pintaan
Jännite nielusta lähteeseen (Vdss) 60 V	Valmistajan laitepakkaus PG-WHTFN-9
Virta - jatkuva nielu (Id) @ 25°C 24A (Ta), 151A (Tc)	Pakkaus / kotelo 9-PowerWDFN
Käyttöjännite (maks. Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Päätuotenumero IQE022
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs 2,2mOhm @ 20A, 10V